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產(chǎn)品中心

當(dāng)前所在的位置:首頁(yè) · 產(chǎn)品中心 · 微納檢查 · 原子力顯微鏡

12英寸工業(yè)級(jí)原子力顯微鏡

1、原子力顯微鏡是可以實(shí)現(xiàn)納米尺度下高精度三維成像及測(cè)量的顯微工具。


2、主要應(yīng)用于半導(dǎo)體微納器件和納米材料的表面三維形貌、粗糙度、缺陷等測(cè)量。


3、本款國(guó)產(chǎn)化儀器具備性能穩(wěn)定、測(cè)量精度高、測(cè)量速度快等特性。


4、可選配電性模塊、力學(xué)模塊、納米操作模塊等定制。


5、掃描模式有頭掃描和樣品掃描兩種模式


6、樣品尺寸,從2英寸至12英寸,還可特殊訂制。

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  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

主要功能介紹:

*該系統(tǒng)采用當(dāng)今國(guó)際最先進(jìn)的一體式中央控制三維全量程閉環(huán)頭部掃描。壓電陶瓷掃描頭在低工作電壓下提供X,Y和Z方向的高精準(zhǔn)度納米級(jí)運(yùn)動(dòng),具有高度線性運(yùn)動(dòng)和無(wú)蠕變的顯著優(yōu)點(diǎn)。

*CD—AFM-12S配備尖端頭部掃描模塊,此配置在靈活性和樣本的大小方面提供了顯著的優(yōu)勢(shì)。被測(cè)樣品大小與重量不受限制,幾乎任何大小或重量的納米材料都可進(jìn)行表面三維形貌與粗糙度的測(cè)量。

*可實(shí)現(xiàn)大范圍的高精度掃描,樣品尺寸和重量不受限制,如大光柵、特殊形狀光柵等。(需定制選配)

*CD—AFM-12S及CD—AFM-12S PRO除常規(guī)測(cè)試模塊,還可根據(jù)用戶需求進(jìn)行個(gè)性化定制:得益于開放式平臺(tái)的設(shè)計(jì),可增加對(duì)晶圓的應(yīng)力、翹曲度檢測(cè)。

檢測(cè)定位方式:軟件控制的行程300mm二維工作臺(tái)自動(dòng)定位,保證12英寸樣品無(wú)盲區(qū)定位和檢測(cè)。馬達(dá)加壓電陶瓷自動(dòng)探測(cè)的智能進(jìn)針模式,以保護(hù)探針和樣品。探針升降行程優(yōu)于20mm(探針升降行程還可優(yōu)于30mm及以上,便于測(cè)量厚度更大的樣品。)

*超實(shí)用和擴(kuò)展,可以實(shí)現(xiàn)各種測(cè)量?jī)x器的聯(lián)動(dòng)使用,最終實(shí)現(xiàn)跨尺度原位檢測(cè)。

*原位數(shù)字化高分辨光學(xué)顯微鏡觀測(cè)系統(tǒng),配備1-12倍無(wú)級(jí)光學(xué)變焦,同軸可調(diào)亮度輔助照明光源。

*配備封閉式金屬防護(hù)罩,氣動(dòng)減震器平臺(tái),強(qiáng)大的抗干擾能力,始終使噪聲比達(dá)到最佳狀態(tài)。

主要應(yīng)用場(chǎng)景:

微納材料表面三維形貌、粗糙度的檢測(cè)——

包括:晶圓(硅片);光柵;陶瓷;合金;薄膜;晶體;超晶玻璃;高分子材料;復(fù)合材料;第三代半導(dǎo)體砷化鎵、氮化鎵、鈮酸鋰化合物襯底等。

設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo):

1、工作模式:

Tapping mode(輕敲模式)、contact mode(接觸模式)、non-contactmode(非接觸模式)、Phase Imaging Mode(相位成像模式)、Force curve: F-Z force curve, RMS-Z curve(力曲線:F-Z力曲線,RMS-Z曲線)、LFM(側(cè)向力模式)、EFM(靜電力顯微鏡)、MFM(磁力顯微鏡)、SKPM(掃描開爾文顯微鏡)、Piezoresponse force microscopy(PFM) (壓電力顯微鏡)、Conducting atomic force microscope(C-AFM) I-V曲線(導(dǎo)電原子力顯微鏡)、Young's modulus 楊氏模量(選配)、Nanolithography and Nanomanipulation(納米刻蝕和納米操作)。

2、XYZ掃描方式:一體式三維全量程閉環(huán)頭部掃描,實(shí)現(xiàn)閉環(huán)反饋,定位更精準(zhǔn)。具備全探針掃描技術(shù)的掃描器,掃描過(guò)程中由掃描器帶動(dòng)探針進(jìn)行XYZ三個(gè)方向的移動(dòng),而樣品為靜止?fàn)顟B(tài)。

3、XYZ 掃描范圍:≥90μm×90μm×10μm掃描器噪聲:Z方向≤0.035nm;XY方向≤0.15nm。

4、進(jìn)針?lè)绞剑褐悄茏詣?dòng)進(jìn)針?lè)绞?,采用馬達(dá)加壓電陶瓷自動(dòng)探測(cè)的智能進(jìn)針模式,以保護(hù)探針及樣品。探針升降行程優(yōu)于20mm(探針升降行程還可優(yōu)于30mm及以上,便于測(cè)量厚度更大的樣品。)

5、樣品臺(tái)尺寸≥300mm;能放置最大樣品高度≥20mm;樣品大小重量不受限,樣品臺(tái)自動(dòng)移動(dòng)XY行程≥300x300mm。真空吸附樣品臺(tái),自動(dòng)適應(yīng)各種尺寸晶圓的全軟件控制的多道真空吸軌并且可360度旋轉(zhuǎn)。

6、控制器內(nèi)置三個(gè)鎖向放大器,控制器反饋?lái)憫?yīng)時(shí)間2μs??刂破髟赬YZ三個(gè)軸上都有三個(gè)獨(dú)立的16位DAC位的數(shù)模轉(zhuǎn)換器,(共18個(gè))用來(lái)控制掃描尺寸和掃描形狀等。每條掃描線可獲得更多的數(shù)據(jù)點(diǎn)(≥16000);8通道同時(shí)成像;可同時(shí)獲得≥5000×5000數(shù)據(jù)點(diǎn)。

7、熱噪音法標(biāo)定探針彈性系數(shù)的頻率上限≥2MHz;皮牛級(jí)力作反饋進(jìn)行表面成像,力曲線頻率≥2000Hz。只需選擇掃描范圍,就能夠在掃描過(guò)程自動(dòng)調(diào)節(jié) 接觸力、電路增益等參數(shù)。

8、可在液體環(huán)境中進(jìn)行形貌測(cè)試。

9、可實(shí)現(xiàn)微區(qū)電、磁疇結(jié)構(gòu)表征(晶粒/晶界、疇/疇壁)、微區(qū)性能(電容、電流、極化強(qiáng)度等)分析。可實(shí)現(xiàn)靜電力顯微鏡和掃描開爾文探針顯微鏡的單次成像技術(shù),顯著提高測(cè)試的分辨率和靈敏度。具備形貌,面外和面外壓電力信號(hào)同時(shí)實(shí)時(shí)掃描成像功能。供快速力譜功能。

10、多點(diǎn)自動(dòng)掃描模式。

11、高精度納米力學(xué)測(cè)試模式,定量楊氏模量、黏附力,定量形變量等二維分布圖的同時(shí),還實(shí)時(shí)獲得測(cè)試范圍的電流二維分布圖。納米力學(xué)和表面電勢(shì)原位測(cè)試模式:實(shí)時(shí)獲得測(cè)試范圍各處的表面電勢(shì)分布圖。

12、掃描電容顯微鏡模塊,通過(guò)測(cè)量微電容變化,得出載流子濃度分布圖像。

13、掃描擴(kuò)散電阻顯微鏡模塊。

14、光學(xué)定位:具有二維測(cè)量功能的原位數(shù)字化高分辨光學(xué)顯微鏡觀測(cè)系統(tǒng),配備1-12倍無(wú)級(jí)光學(xué)變焦,同軸可調(diào)亮度輔助照明光源。

15、防震措施: 一體封閉式隔音及防電磁屏蔽裝置,氣浮防震臺(tái),帶自動(dòng)充氣泵。

產(chǎn)品參數(shù)



標(biāo)配工作模式

接觸 、輕敲、非接觸、相位 、橫向力力曲線測(cè)試 、摩擦力、力矩陣模式(可測(cè)樣品彈性模量和粘附力 ) 納米操控/納米加工,納米刻蝕。
噪音水平

<0 .1nm

選配工作模式

磁力,靜電力、導(dǎo)電力掃描電勢(shì)(SKPM開爾文)高級(jí)力曲線,多通道數(shù)據(jù)采集掃描速率

0.1Hz~20Hz,掃描角度 0~360°

最大樣品尺寸

Φ≥300MM H≥50MM(2-- 12英寸或定制)
掃描控制

XY采用18-BIT D/A,Z采用16-BIT D/ A

閉環(huán)掃描范圍

XY向40μm、60UM、100UM,Z 向17μm
數(shù)據(jù)采樣

14-BIT A/D 、雙 16-BIT A/D 多路同步采樣

閉環(huán)掃描分辨率

XY向0.2nm,Z向0.06nm反饋方式

DSP 數(shù)字反饋

樣品移動(dòng)范圍

300mm×300mm,按需求定制
反饋采樣速率

64.0KHz

輔助光學(xué)定位

光學(xué)分辨率 3μm

配備7.5倍無(wú)級(jí)光學(xué)變焦,同軸可調(diào)亮度輔助照明光源


通信接口

USB2.0/3.0

減震臺(tái)

減震頻率 0.5Hz運(yùn)行環(huán)境

WINDOWS XP/7/8/10 操作系統(tǒng)


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